Mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc DTMOS trong hệ thống thu hoạch năng lượng cao tần

Bài viết trình bày đề xuất việc sử dụng cấu trúc MOSFET điện áp ngưỡng động cho mạch tán sóng toàn chu kỳ CCR để nâng cao hiệu quả của mạch thu hoạch năng lượng cao tần. Trong bài viết, mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc DTMOS và mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc cực thân nối với cực nguồn BTMOS được thiết kế trên công nghệ 65 nm Silicon phủ trên lớp kim loại mỏng.

Từ khóa: Thu hoạch năng lượng cao tần, Mạch tách sóng toàn chu kỳ, MOSFET điện áp ngưỡng động DTMOS, Mạch tán sóng toàn chu kỳ CCR, Cấu trúc cực thân nối với cực nguồn BTMOS